1. 2N5551TFR
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厂商型号

2N5551TFR 

产品描述

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R

内部编号

3-2N5551TFR

#1

数量:22000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:5139
1+¥1.2992
10+¥0.9299
100+¥0.3897
1000+¥0.2667
2000+¥0.2051
10000+¥0.1778
24000+¥0.1641
50000+¥0.1573
100000+¥0.1368
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:82498
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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原厂背书质量,全面技术支持

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2N5551TFR产品详细规格

规格书 2N5551TFR datasheet 规格书
2N5551TFR datasheet 规格书
2N5551 - MMBT5551
文档 Copper Lead Frame 12/Oct/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 200mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 10mA, 5V
功率 - 最大 625mW
频率转换 100MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-92
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 160 V
集电极最大直流电流 0.6 A
最小直流电流增益 80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V
最大工作频率 300 MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA V
最大集电极基极电压 180 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 625 mW
安装 Through Hole
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.6
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 300
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 180
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 160
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 600mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 200mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 80 @ 10mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 2N5551TFRCT
工厂包装数量 2000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
零件号别名 2N5551TFR_NL
安装风格 Through Hole
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 80
直流电流增益hFE最大值 250
单位重量 0.006279 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 160 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 0.2 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.6 A
增益带宽产品fT 300 MHz
系列 2N5551
集电极 - 基极电压VCBO 180 V
最低工作温度 - 55 C
集电极电流( DC)(最大值) 0.6 A
集电极 - 基极电压 180 V
集电极 - 发射极电压 160 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 300 MHz
功率耗散 0.625 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
元件数 1
直流电流增益(最小值) 80
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 300 MHz
集电极电流(DC ) 0.6 A
直流电流增益 80
宽度 3.93 mm
长度 4.7 mm
身高 4.7 mm
Pd - Power Dissipation 625 mW
品牌 Fairchild Semiconductor

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